古河機械金属株式会社
革新的な窒化物半導体基板の製造方法
古河機械金属株式会社
革新的な窒化物半導体基板の製造方法
本特許は、炭素を不純物として含む窒化物半導体基板の製造方法を提供します。具体的には、製造工程では炭素の濃度、シリコンの濃度、酸素の濃度、および窒化物半導体の層の成膜速度が制御されます。炭素を不純物として含む窒化物半導体層は、半導体デバイスの性能を向上させるために重要であり、本特許の製造方法は、半導体デバイスの品質と性能を一貫して高品質に保つことが可能です。また、本特許の製造方法は、既存の半導体製造プロセスに統合することが容易であり、既存の製造ラインに影響を与えることなく導入することが可能です。
つまりは、炭素を不純物として含む窒化物半導体基板の製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業高度技術製品製造業
- 高品質な半導体デバイスの製造
- 既存の製造ラインへの統合
- 新たな半導体材料の開発
本特許の製造方法を用いることで、炭素を不純物として含む窒化物半導体基板を製造することが可能となります。これにより、半導体デバイスの品質と性能を一貫して高品質に保つことができます。これは、電子機器製造業における競争力強化に寄与します。
本特許の製造方法は、既存の半導体製造プロセスに統合することが容易であり、既存の製造ラインに影響を与えることなく導入することが可能です。これにより、新たな設備投資を抑えつつ、既存の製造ラインの品質と生産性を向上させることができます。
炭素を不純物として含む窒化物半導体基板の製造は、新たな半導体材料の開発に寄与します。これにより、新たな半導体デバイスの設計や性能向上につながる可能性があります。これは、半導体製造業や電子機器製造業の技術革新を推進するための基盤となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-086189 |
| 発明の名称 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-207618 |
| 登録番号 | 特許第0006527667号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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