古河機械金属株式会社
低反発で高品質な自立基板の製造
古河機械金属株式会社
低反発で高品質な自立基板の製造
本特許では、ウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物半導体からなる基板上に、同じくウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物半導体からなる層を形成する方法について説明しています。特に、基板とその上の層の間の格子定数の差と、炭素の濃度を調節することで、自立基板の反りを低減することを可能としています。また、この方法によって製造された自立基板は、基板自身の炭素濃度よりも層の炭素濃度が高く、その結果、高品質で安定した自立基板を製造することが可能となります。この技術は、半導体デバイスの製造における基板の品質向上とコスト削減に寄与する可能性があります。
つまりは、炭素の濃度を調節し、格子定数を最適化することで、反りを低減した自立基板の製造方法を提供
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業研究開発
- 高品質な半導体デバイスの製造
- 高性能な電子部品の開発
- 研究開発の進展
本技術を用いることで、自立基板の反りを低減し、その結果、半導体デバイスの品質を向上させることが可能となります。また、製造工程の簡素化により生産コストも削減できるでしょう。
本特許の技術を活用して、高品質な自立基板を用いた電子部品を開発することが可能です。電子部品の性能向上に寄与し、新たな電子デバイスの開発を促進できます。
本特許の技術は、半導体材料の研究開発にも活用できます。新たな半導体材料の開発や、既存材料の性能向上のための研究に役立つでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-097745 |
| 発明の名称 | 自立基板の製造方法及び自立基板 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-214447 |
| 登録番号 | 特許第0006342703号 |
- サブスク
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