国立研究開発法人情報通信研究機構
高効率半導体量子ドットとその革新的製法
国立研究開発法人情報通信研究機構
高効率半導体量子ドットとその革新的製法
概要は、基板上に埋め込み層を形成し、その埋め込み層に量子ドットを形成する製造方法を説明しています。特に、埋め込み層の形成工程は、第1結晶層と第2結晶層を、基板と格子整合がとられた超格子となるように形成する工程を含んでいます。また、基板はInP基板であり、第1結晶層はInGaAs結晶層、第2結晶層はInAlAs結晶層であることが特徴です。これにより、量子ドットの発光波長及び発光効率を制御でき、高品質な半導体量子ドットの製造が可能になります。
つまりは、本特許は、歪補正層を有する半導体量子ドットと、その製造方法について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体工業光通信業電子部品製造業
- 高効率半導体量子ドットの製造
- 光通信分野への応用
- 高品質半導体素材の提供
本特許の製法に従い、半導体量子ドットを高効率に製造することができます。特に、発光効率と発光波長を制御した半導体量子ドットの製造が可能になります。
本特許の半導体量子ドットは、光通信波長帯で発光することが可能なため、光通信分野での利用が期待できます。特に、高速で大容量のデータ通信が求められる現代において、高効率の半導体量子ドットは大いに貢献するでしょう。
本特許に基づく半導体量子ドットの製造法は、高品質な半導体素材の提供を可能にします。これにより、半導体デバイスの性能向上や信頼性の向上に寄与することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-096322 |
| 発明の名称 | 半導体量子ドット及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | 特開2015-216144 |
| 登録番号 | 特許第0006362402号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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