国立研究開発法人物質・材料研究機構
高速で信頼性の高い電子デバイスの製造
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高速で信頼性の高い電子デバイスの製造
本特許は、導電性ポリマーと金属の複合体を用いた新たなTSV（スルーシリコンビア）充填方法を提案しています。この複合体はピロールの酸化重合と銀イオンもしくはシリコン元素析出により形成され、UV照射による光利用反応を使ってその成長速度を大きくします。この方法は短時間で充填作業が可能となり、かつ導電性が高く、柔軟でコストパフォーマンスに優れています。しかし、銀のナノ粒子がシリコン基板に拡散すると信頼性に問題が生じるため、SiOxやSiNxなどの障壁層を用いて防止します。
つまりは、導電性ポリマーと金属の複合体を用いたTSV充填方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造半導体製造ナノテクノロジー
- 高速な電子デバイスの生産
- 高信頼性の電子機器開発
- フレキシブルな電子機器の設計
本特許の技術を活用することで、電子デバイスの生産速度を大幅に向上させることが可能になります。これにより、大量生産が必要な電子機器製造業界において、生産効率の向上とコスト削減に貢献します。
本特許の技術は、銀ナノ粒子のシリコン基板への拡散を防ぐことで、電子デバイスの信頼性を向上させます。これにより、高信頼性が求められる医療機器や軍事機器などの開発において有用です。
本特許の技術は、導電性ポリマーと金属の複合体が柔軟性を持つため、フレキシブルな電子機器の設計に利用することが可能です。これにより、ウェアラブルデバイスやフレキシブルなスマートフォンなど、新たな形状の電子機器の開発に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-102210 |
| 発明の名称 | 銀拡散障壁材料、銀拡散障壁、銀拡散障壁被覆 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2015-220310 |
| 登録番号 | 特許第0006188025号 |
- サブスク
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