古河機械金属株式会社
革新的な自立基板の製造方法
古河機械金属株式会社
革新的な自立基板の製造方法
この特許では、III族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法について詳述しています。この方法は、まず第1の面に凸部を有する下地基板を準備します。次に、この第1の面を薬液によりエッチングする前処理工程を行います。その後、前処理工程の後に第1の面上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程を行います。この方法は、特に下地基板上に形成されたIII族窒化物半導体層が顕著に凹状に反ってしまう問題を解決します。また、この方法は、フラットな下地基板、すなわち外観上に反りがいない下地基板上にIII族窒化物半導体層を形成することも可能です。この革新的な製造方法により、より高品質な自立基板の製造が可能となります。
つまりは、III族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造マイクロエレクトロニクス
- 高品質な半導体製品の製造
- 新たなマイクロエレクトロニクス製品の開発
- 半導体製造プロセスの改善
この特許の製造方法を用いて、より高品質な自立基板を製造することが可能です。これにより、半導体製品の性能を向上させ、市場での競争力を強化することが可能になります。
この特許の製造方法は、新たなマイクロエレクトロニクス製品の開発に活用することができます。特に、高品質な自立基板の製造が可能なため、より高性能な電子デバイスの開発に役立ちます。
この特許の製造方法は、半導体製造プロセスの改善にも寄与します。特に、下地基板上に形成されたIII族窒化物半導体層が顕著に凹状に反ってしまう問題を解決するため、製造効率と製品の品質を向上させることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-106140 |
| 発明の名称 | 自立基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-221731 |
| 登録番号 | 特許第0006334259号 |
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- 譲渡
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