大陽日酸株式会社
革新的な半導体製造装置の清浄化方法
大陽日酸株式会社
革新的な半導体製造装置の清浄化方法
本特許の清浄化方法は、半導体製造装置の構成部材の表面に付着した微量の金属成分を、一酸化炭素と反応させて金属カルボニルとして除去します。これにより、部材へのダメージを与えることなく、効率的に金属成分を除去することが可能となります。また、部材の清浄化は、半導体製造装置から部材を取り出し、別に設けられた清浄化処理装置で行います。このプロセスは、温度が60-100℃の範囲、圧力が25-101kPaの範囲で行われます。さらに、部材の材質は、グラファイト、炭化珪素、炭化珪素被覆グラファイト、石英のいずれかであることが特徴です。この革新的な清浄化方法により、操作性の向上や省エネルギー化も図ることが可能です。
つまりは、本特許は、半導体製造装置の構成部材の清浄化方法を提供します。この方法は、一酸化炭素と反応させることで微量の金属成分を効率よく除去し、部材を傷つけずに清浄化します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業清掃業製造業
- 半導体製造装置のメンテナンスサービス
- 清浄化処理装置の製造・販売
- 清浄化方法のライセンス販売
本特許の清浄化方法を用いて、半導体製造装置の定期的なメンテナンスサービスを提供する。これにより、装置の性能を維持し、生産効率を向上させることが可能となる。
本特許の清浄化方法を実施する専用の清浄化処理装置を製造・販売する。これにより、半導体製造業界に新たなビジネスチャンスを提供することができる。
本特許の清浄化方法を他の企業にライセンスとして販売する。これにより、他の企業が自社の製品やサービスにこの革新的な清浄化方法を組み込むことが可能となる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-126508 |
| 発明の名称 | 半導体製造装置構成部材の清浄化方法 |
| 出願人/権利者 | 大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 | 特開2016-004982 |
| 登録番号 | 特許第0006339423号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です