国立研究開発法人情報通信研究機構
真空の新次元 超高真空作成装置
国立研究開発法人情報通信研究機構
真空の新次元 超高真空作成装置
本発明は、任意に積層配置することで最適な排気特性を提供する超高真空作成装置です。具体的には、イオンポンプ、加熱非蒸発型ゲッターポンプ、及びサブリメーションポンプを一つのイオンポンプに応じて積層して構成します。これにより排気特性を用途に応じて最適化することが可能となります。超高真空技術は、ナノテクノロジーや超精密計測技術の著しい発展に伴い、重要視されており、本発明はこれらの領域での応用が期待されます。特に、半導体表面の汚染防止や荷電粒子ビーム装置の分解能向上などの課題に対応するための装置として活用可能です。
つまりは、イオンポンプ、加熱非蒸発型ゲッターポンプ、サブリメーションポンプを積層配置することで最適な排気特性を提供する超高真空作成装置。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造ナノテクノロジー精密計測
- 半導体製造プロセスの最適化
- 荷電粒子ビーム装置の性能向上
- ナノテクノロジーの研究開発支援
半導体表面は気体分子により汚染されやすいため、超高真空状態を維持することでクリーンな半導体表面を保持することが必要です。本発明を用いることで、その排気特性を用途に応じて調整し、半導体製造プロセスを最適化することが可能になります。
荷電粒子ビーム装置の内部空間を超高真空状態に維持することで、分解能を向上させることができます。本発明の超高真空作成装置を活用することで、装置の性能向上とともに、より詳細な観察や解析が可能となります。
ナノテクノロジーの研究開発では、極めてクリーンな環境が必要とされます。本発明の超高真空作成装置を用いることで、必要な真空環境を確保し、より精度の高い研究開発を支援します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-134301 |
| 発明の名称 | 積層型超高真空作成装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-012501 |
| 登録番号 | 特許第0006327974号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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