東京都公立大学法人
高効率熱電変換を実現する半導体素子
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高効率熱電変換を実現する半導体素子
本発明は、ドーピングの制御が容易で効果が高く、p型とn型の半導体素子の製造が可能な半導体素子の製造方法を提供します。特に、イオン液体がN, N, N-Trimethyl-N-propylammonium bis(trifluoromethanesulfony1)imide、又はN,N-Diethyl-N-methyl-N- (2-methoxyethyl) ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imideであることを特徴とします。また、製造された半導体素子は、薄膜状の素子前駆体と、その一表面に陰イオン種及び陽イオン種が吸着されて形成されたイオン層からなります。この発明により、高性能な熱電変換素子の開発が可能となります。
つまりは、p型とn型を制御可能な新たな半導体素子とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー半導体電子機器
- 高効率熱電変換素子の開発
- カーボンナノチューブの性質制御
- エネルギーハーベスト技術の進展
本発明により、高効率な熱電変換素子の開発が可能となります。これにより、排熱の有効活用やエネルギー問題の解決に貢献します。
本発明のドーピング制御技術を用いることで、カーボンナノチューブの性質を制御し、n型の熱電変換素子を製造することが可能となります。
本発明の半導体素子は、熱電変換によるエネルギーハーベスト技術に活用できます。これにより、エネルギーの効率的な利用が可能となり、エネルギー問題の解決に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-135553 |
| 発明の名称 | 半導体素子の製造方法、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子 |
| 出願人/権利者 | 東京都公立大学法人 |
| 公開番号 | 特開2016-015361 |
| 登録番号 | 特許第0006619130号 |
- サブスク
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