国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なエッチング技術で電子部品製造の効率を高める
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なエッチング技術で電子部品製造の効率を高める
本特許は、エッチング剤とその使用方法に関するもので、電子部品と結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供します。特に、シリコン窒化膜用のエッチング剤とその使用方法に焦点を当てています。このエッチング剤はリン酸と金属体を含み、ガラス成分を含まないもので、その金属体はAg若しくはCuの単金属又は合金粉、Agで被覆されたCu又Cu合金粉から選択されます。このエッチング剤を用いてエッチングすることで、エッチング部に導体膜又は半導体膜を形成することができます。これにより、エッチング後に接触抵抗が低減した導体膜や半導体膜を形成することが可能となり、電子部品や太陽電池の製造効率が向上します。
つまりは、シリコン窒化膜用のエッチング剤とその使用方法を特徴とする電子部品と太陽電池の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業太陽電池製造業
- 電子部品製造の効率化
- 高品質な太陽電池の製造
- 新たなエッチング剤の開発
本特許の技術を活用することで、電子部品製造の工程におけるエッチングと導体膜形成が効率的に行えます。これにより、生産効率の向上とコスト削減が期待できます。
本特許のエッチング剤を使用することで、結晶シリコン太陽電池の製造過程での導体膜の形成が改善され、より高品質な太陽電池を製造することが可能となります。
本特許の技術は、新たなエッチング剤の開発にも応用可能です。特に、エッチング後の接触抵抗の低減という特性は、他の材料に対するエッチング剤の開発においても有用な知見を提供します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-137683 |
| 発明の名称 | シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-015444 |
| 登録番号 | 特許第0006425927号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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