国立研究開発法人産業技術総合研究所
トンネル抵抗変化型不揮発性メモリ素子の新時代への扉
国立研究開発法人産業技術総合研究所
トンネル抵抗変化型不揮発性メモリ素子の新時代への扉
本特許は、基板上に導電性を有する酸化物の下部電極、強誘電酸化物のバリア層、常誘電酸化物の単原子層膜、金属の上部電極を積層し、バリア層と単原子層膜によりトンネル障壁を構成する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供します。この方法により、抵抗変化の大きさや極性（正負いずれの電圧で抵抗が増加または減少するか）が制御され、安定したメモリ動作特性が実現します。さらに、バリア層の表面に常誘電酸化物の二原子層からなる薄膜を堆積し、堆積した薄膜に水による処理を施すことで、バリア層上に常誘電酸化物の単原子層膜が積層される特性も含まれています。この新しい不揮発性メモリ素子は、データストレージ、メモリデバイス、コンピューターハードウェアなどの用途に適しています。
つまりは、一定の抵抗変化や極性を実現し、安定したメモリ動作特性を持つ不揮発性メモリ素子とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業コンピュータハードウェアデータストレージ
- 高速かつ大容量のメモリデバイスの開発
- 高性能なコンピューターハードウェアの製造
- メモリ素子を含む電子機器の開発
本特許の技術を活用すれば、安定性と高速性を兼ね備えた大容量のメモリデバイスを開発することが可能になります。これは、データセンターやクラウドストレージの需要が高まる現代社会において、大きな競争優位をもたらすでしょう。
本特許に基づく不揮発性メモリ素子は、高性能なコンピュータハードウェアの製造にも活用できます。安定したメモリ動作特性を持つこのメモリ素子は、パフォーマンスを大幅に向上させる可能性があります。
さらに、本特許の技術は、メモリ素子を含む様々な電子機器の開発にも応用可能です。例えば、スマートフォン、タブレット、ラップトップなどのデバイスのメモリ容量や速度を向上させることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-149390 |
| 発明の名称 | 不揮発性メモリ素子とその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-025258 |
| 登録番号 | 特許第0006367035号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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