国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的なシリコン系ナノ構造材料の製造技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的なシリコン系ナノ構造材料の製造技術
本特許は、特定の金属基板上でシリコン系のナノ構造材料を形成する独自の製造方法を提供します。特許では、シリコンナノ粒子の集合体の成長中にドーパントの化合物のガスを添加し、不純物ドーピングを行う方法が詳述されています。また、特許では、ゲルマニウムと人金属元素を含むシリコンナノ粒子の集合体と、シリコン及び人金属元素を含むゲルマニウムナノワイヤからなるゲルマニウムナノ構造体を有するシリコンナノ構造体の製造も説明されています。これにより、新しい型のシリコン系ナノ構造材料が可能になります。
つまりは、金属基板上に形成されたシリコン系ナノ構造材料及びその製造方法について述べた特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業化学産業電子機器産業
- ナノスケールの半導体製造
- 光効率の向上
- 電池性能の向上
本特許の製造方法は、新たな半導体の製造に使用できます。特に、ナノスケールの半導体製造において、シリコンとゲルマニウムの組み合わせは新しい可能性を開くことができます。
ドーパントを用いたシリコンナノ粒子の生成方法は、光学的な性質を改善する可能性があります。これにより、LEDやソーラーパネルなどの光効率を向上させることができます。
本特許の技術は、リチウムイオン電池の負極の容量を増大させる新しい材料として活用できます。これにより、電池の性能を向上させ、電気自動車や携帯電子機器のバッテリー寿命を改善することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-173124 |
| 発明の名称 | シリコン（Ｓｉ）系ナノ構造材料及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-047785 |
| 登録番号 | 特許第0006367652号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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