国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な記憶装置、ヒューズ型の不揮発性メモリの製造方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な記憶装置、ヒューズ型の不揮発性メモリの製造方法
この特許は、印刷技術を用いて基板上に高精細に形成できるヒューズ型の不揮発性メモリ及びその製造方法について述べています。従来のメモリは電源供給が必要でしたが、この特許では電源を供給せずとも記憶を保持できる革新的な記憶装置の製造方法を提案しています。特に、フレキシブルな基板上での製造が容易となるため、さまざまな用途での利用が可能となります。また、導電性ポリマーを挟み込み、電圧を印加して水を電気分解し、不可逆的にヒューズ電極間を層間剥離させることで、低電力で動作するマイクロヒューズ型の不揮発性メモリを得ることができます。
つまりは、高精細な印刷技術を用いて、不揮発性メモリの製造を可能にする特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業IT業界研究開発
- 電子デバイスへの応用
- 積層型メモリの開発
- IoTデバイスへの適用
電子デバイスに必要なメモリ部分をこのヒューズ型の不揮発性メモリで製造することで、省電力化と高精細化を実現します。電源供給が不要なことから、ポータブルデバイスやリモート地域での利用に適しています。
この特許の技術を用いて、フレキシブルな基板上に複数のメモリ層を積層することで、大容量のメモリを持つ製品を開発します。これにより、データセンターやサーバーなどの大容量記憶が必要なシステムに対応可能となります。
IoTデバイスは低電力で動作することが求められます。この特許の技術を用いて、低電力で動作するマイクロヒューズ型の不揮発性メモリを製造し、IoTデバイスの効率的な電力管理を実現します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-180042 |
| 発明の名称 | 不揮発性メモリ及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-054246 |
| 登録番号 | 特許第0006315583号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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