国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体装置とその製造方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体装置とその製造方法
本発明は、n型シリコン層と銅電極との間に銅拡散バリア層が設けられた半導体装置とその製造方法に関する。具体的には、シリコン窒化物層に開口部を形成し、その開口部内に銅拡散バリア層を同時に形成する結晶シリコン太陽電池などの半導体装置の製造方法を提供。シリコン窒化物層に対してエッチング剤を塗布し、加熱することで開口部と銅拡散バリア層を形成する。この方法により、銅電極とn型シリコン層との間で銅がn型シリコンに拡散するのを防止することができる。
つまりは、結晶シリコン太陽電池などの半導体装置の製造方法と、その半導体装置を提供する特許。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体太陽電池電子機器製造
- 高効率太陽電池の開発
- 高性能半導体装置の製造
- 環境に優しい電子機器の製造
銅拡散バリア層を設けることで、銅のn型シリコンへの拡散を防止し、太陽電池の効率を向上させることができます。
銅拡散バリア層を設けることで半導体装置の性能を向上させ、より高精度な電子機器の製造が可能となります。
シリコン窒化物層に開口部を形成し、その開口部内に銅拡散バリア層を形成することで、環境負荷の低減とともに製造コストの削減が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-189901 |
| 発明の名称 | 半導体装置とその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-063069 |
| 登録番号 | 特許第0006359394号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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