国立研究開発法人物質・材料研究機構
希土類なしで高性能を実現する熱電半導体
国立研究開発法人物質・材料研究機構
希土類なしで高性能を実現する熱電半導体
本発明は、希土類を含まない高性能なスクッテルダイト熱電半導体の製造方法及びそれを用いた熱電発電素子に関するものです。特に、原子籠状構造への二生ドーピングによって、希土類なしで高い熱電性能を実現した熱電半導体について述べています。製造方法としては、Co源、Sb源、Si源及びTe源を混合した原料混合物を準備し、焼成するステップが含まれます。焼成は真空または不活性雰囲気中で特定の温度範囲で行い、その後の工程として粉砕や再度焼成、アニーリング等が含まれます。この特許は、希土類元素を含まないで素子を形成することが求められる現代社会において、注目すべき内容を提供しています。
つまりは、スクッテルダイト熱電半導体の製造方法とその半導体について
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー半導体材料科学
- エネルギー効率の高い製品の開発
- 廃熱回収システムの開発
- 環境負荷の低い素材の開発
本特許のスクッテルダイト熱電半導体は、エネルギー変換効率が高く、希土類を必要としないため、エネルギー効率の高い製品の開発に利用することができます。特に、発電機や冷却装置などに応用可能です。
本特許の技術は、熱エネルギーを電気エネルギーに直接変換する能力を持つため、廃熱回収システムの開発に活用することができます。これにより、一次供給エネルギーの大部分が廃棄される現状を改善することが期待されます。
希土類を使用しない本特許の熱電半導体は、資源が特定地域に偏在している希土類元素の代替として、環境負荷の低い新素材の開発に活用することが可能です。これにより、持続可能な社会の実現に寄与することが期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-184746 |
| 発明の名称 | ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-066795 |
| 登録番号 | 特許第0006635581号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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