古河機械金属株式会社
高品質半導体の新たな製造法
古河機械金属株式会社
高品質半導体の新たな製造法
この特許は、III族窒化物半導体からなる層と、その層の中に存在し、前記層の露出面におけるビット埋込領域を有する自立基板の製造方法に関するものです。具体的には、まず下地基板の上にIII族窒化物半導体からなる積層膜を形成します。次に、その積層膜の上にさらにIII族窒化物半導体層を形成します。最後に、下地基板を除去して、III族窒化物半導体層を含む自立基板を得ます。この方法では、積層構造の成長過程で成長を一時停止し、再び成長させることで、不純物の取り込みを抑制し、品質の高い自立基板を製造します。これにより、自立基板の上に形成する光デバイスや電子デバイスの性能を向上させることが可能となります。
つまりは、自立基板の製造方法に関する特許で、不純物濃度を低減し、デバイス性能を向上させる技術を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業情報通信業
- 高品質半導体の製造
- 不純物濃度低減技術の開発
- 半導体製造装置の改良
この特許の技術を活用し、高品質の半導体を製造することが可能です。特に、光デバイスや電子デバイスの性能を向上させるための半導体素材として活用することができます。
この技術をさらに発展させて、不純物濃度をより低減する新たな製造手法を開発することが可能です。これにより、さらに高品質な半導体の製造が可能となります。
この特許の製造方法に基づいて、半導体製造装置の改良を行うことが可能です。具体的には、成長過程で一時的に成長を停止し、再び成長させる機能を装置に組み込むことで、自動的に高品質な半導体を製造することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-204524 |
| 発明の名称 | 自立基板、及び、自立基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2016-074549 |
| 登録番号 | 特許第0006497886号 |
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