国立研究開発法人物質・材料研究機構
高い耐久性と効率を誇る抵抗変化素子
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高い耐久性と効率を誇る抵抗変化素子
本発明は金属酸化物層中で酸素空孔が電界によって移動することで抵抗が変化する2端子型素子である抵抗変化素子に関するものです。2つの金属電極のうち、金属酸化物層にフィラメントを発生させる際、フィラメントが発生する側の金属電極と金属酸化物層との界面に界面層を設けます。この界面層中に導電性フィラメントを成長させるために必要な電界強度は、金属酸化物層中に導電性フィラメントを成長させるために必要な電界強度よりも大きいという特徴があります。この構造により、オンオフ抵抗比が大きく、しかもオンオフ動作の繰り返しによる特性の劣化が抑止された抵抗変化素子を提供することが可能になります。
つまりは、金属酸化物層に導電性フィラメントを成長させることで抵抗が変化する2端子型の抵抗変化素子です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業半導体産業IT産業
- 高性能な電子部品の製造
- メモリデバイスの開発
- 電力供給システムの改善
本発明の抵抗変化素子は、微細化や集積化が容易であり、不揮発性の動作をするため、待機電力の大幅削減が可能です。これにより、高性能かつ省電力な電子部品の製造が可能となります。
この抵抗変化素子は、金属酸化物中の酸素空孔を移動させ、局所的な酸化・還元反応を誘起することで抵抗変化を実現する2端子型の不揮発性メモリ素子として利用することができます。これにより、メモリデバイスの性能向上と効率化を図ることができます。
本発明の抵抗変化素子は、電力供給システムにおいて、省エネルギー化を実現するための重要な要素となり得ます。特に、大規模なデータセンターなどのエネルギー消費が大きい施設においては、待機電力の削減が期待できるため、大きな効果を発揮します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-207339 |
| 発明の名称 | 抵抗変化素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-076655 |
| 登録番号 | 特許第0006562445号 |
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- ライセンス
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