知財活用のイノベーションで差別化を

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日本放送協会
ガリウム不要!高性能薄膜トランジスタの新時代

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ガリウム不要!高性能薄膜トランジスタの新時代

本特許は、ガリウムを含まない酸化物半導体層を有し、高い移動度を持つ薄膜トランジスタ及びその製造方法に関わるものです。従来、薄膜トランジスタの駆動回路には、ガリウムを含む酸化物半導体層が用いられていました。しかし、ガリウムは産出量が限られており、その代替素材が求められていました。本特許では、ガリウムを含まない酸化インジウムタングステン亜鉛を酸化物半導体層に用いることで、ガリウム不使用でありながら高い電子の移動速度を実現しています。これにより、より効率的で持続可能な薄膜トランジスタの製造が可能となります。

つまりは、ガリウムを含まない酸化物半導体層を活用した、高い移動度を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業ディスプレイ製造業半導体製造業

  • ガリウム不使用の高性能ディスプレイの開発
  • 本特許を活用して、ガリウムを含まない酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタを使用することで、高品質なディスプレイの製造が可能となります。そのため、コストや環境負荷を抑えつつ、高性能なディスプレイを市場に提供することができます。

  • エコフレンドリーな電子機器の製造
  • ガリウムは産出量が限られており、その採掘には環境負荷が伴います。本特許の技術を用いれば、ガリウムを用いずに高性能な薄膜トランジスタを製造できるため、電子機器の生産プロセスをより環境に優しくすることが可能となります。

  • 次世代電子部品の開発
  • ガリウムを含まない酸化物半導体層を活用した薄膜トランジスタは、これまでの電子部品とは一線を画した新たな可能性を秘めています。これにより、従来の電子部品が持つ制約を克服し、より高性能な電子部品の開発が期待できます。

活用条件

  • サブスク
  • 譲渡
  • ライセンス

商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ

特許評価書

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  • 権利概要
出願番号特願2014-215355
発明の名称薄膜トランジスタおよびその製造方法
出願人/権利者日本放送協会
公開番号特開2016-082198
登録番号特許第0006501385号
  • サブスク
  • 譲渡
  • ライセンス

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