古河機械金属株式会社
革新的な半導体層製造技術で内部量子効率を最大化
古河機械金属株式会社
革新的な半導体層製造技術で内部量子効率を最大化
本発明は、半導体の内部量子効率を向上させる新たな製造方法を提供します。具体的には、In、Ga、Nで構成される単結晶半導体層の製造方法を含む積層構造体の製造方法で、不純物としてCがドーピングされた状態で、一定の格子定数を持つ特定の単結晶半導体層を形成します。これにより、LEDやLD等のデバイスにおける内部量子効率の向上が期待できます。また、この技術は、自立基板の製造方法や積層構造体の製造方法にも適用可能で、半導体製造技術全般に対する大きな進歩をもたらします。
つまりは、LEDやLD等のデバイスの性能向上を目指す半導体層の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造光学デバイス製造マイクロエレクトロニクス
- 高性能LEDの製造
- 効率的なレーザダイオードの開発
- 先進的な半導体デバイスの設計
本発明の半導体層の製造方法を用いることで、内部量子効率が向上したLEDを製造することが可能です。これにより、より明るく、省エネルギーな照明デバイスの開発が期待できます。
本発明の半導体層の製造方法は、LD（レーザダイオード）の製造にも応用可能です。内部量子効率の向上は、より高出力で効率的なレーザダイオードの開発に寄与します。
本発明は、半導体デバイスの設計にも新たな可能性をもたらします。特定の単結晶半導体層の製造方法を活用することで、新たな機能を持つ半導体デバイスの設計や適応的なデバイスの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-230448 |
| 発明の名称 | 単結晶半導体層、自立基板及び積層構造体の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2016-094309 |
| 登録番号 | 特許第0006530905号 |
- サブスク
- 譲渡
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