国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度・高性能電子源の新時代
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度・高性能電子源の新時代
この特許は、電子光学装置に使用される電子源に関するもので、特に放出される電子線の光軸からの偏差を防止した電子源について説明しています。具体的には、一次元ナノ構造体、特に六ホウ化ランタンナノワイヤやナノチューブを用いた電子源の開発について述べています。これらのナノ構造体は、導電性先端部材の材料との間の化学反応を抑制するバリア層を介して導電性先端部材に取り付けられます。また、先端部材は、収束イオンビーム加工により形成されます。この技術は、安定した電子放出特性とエネルギーの広がりが小さいことから、電磁レンズによる電子ビームの収束が容易になり、分解能を上げることが可能となります。
つまりは、高光度電子源の開癞における革新的な技術を提供する特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業マイクロエレクトロニクスナノテクノロジー
- 高精度電子ビームリソグラフィー装置の開発
- 高解像度電子顕微鏡の改良
- 高性能電子ビームリソグラフィー装置の製造
高光度の電子源を必要とする電子ビームリソグラフィー装置の開発にこの特許を活用できます。特に、微細なパターンを描くための高精度な電子ビームを生成する能力が求められます。
高解像度の電子顕微鏡においても、高光度の電子源が必要となります。この特許の技術を活用すれば、より精度の高い観察が可能となり、材料科学や生命科学などの研究が進展する可能性があります。
この特許の技術を用いて、高性能な電子ビームリソグラフィー装置を製造することが可能です。これにより、半導体の微細加工など、より高度な技術を必要とする分野での利用が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-244963 |
| 発明の名称 | 電子源 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-110748 |
| 登録番号 | 特許第0006369987号 |
- サブスク
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