国立研究開発法人産業技術総合研究所
高度な半導体製造技術を用いた次世代デバイスの開発
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高度な半導体製造技術を用いた次世代デバイスの開発
本特許では、深さ範囲内に形成された半導体装置の製造方法を提供しています。その主要な構成要素は、第1導電型の基板上に形成される高濃度のウェルと、それを囲むリング状の第2導電型のウェルです。これらのウェルは基板よりも高濃度で、ウェル形成工程を経て表層に形成されます。さらに、マスクを通して露光した後に現像し、それに応じた所定位置にレジストを配置します。その後、第1のイオン注入工程を経て第2導電型のディープウェルを形成するか、または基板のよりも深層位置に高濃度の第3ウェルの濃度領域を形成します。以上の工程を経ることで、半導体装置の高度な制御が可能となり、より高い性能の半導体装置が得られます。
つまりは、特許JP 6425985 B2は、半導体装置の製造方法について述べており、特にウェル形成工程やイオン注入工程にフォーカスしています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業テクノロジー開発業界
- 高性能半導体の製造
- 製造プロセスの最適化
- カスタム半導体の開発
この特許技術を用いて、現行の半導体製造技術を超えた高性能な半導体装置を製造することができます。これにより、より高速でエネルギー効率の良い電子機器を製造することが可能になります。
ウェル形成工程やイオン注入工程を最適化することで、製造プロセスの効率を向上させることができます。これにより、製造コストを抑え、生産性を向上させることが可能になります。
基板の深層位置に高濃度の第3ウェルの濃度領域を形成する手法を利用して、特定の用途に最適化されたカスタム半導体を開発することができます。これにより、特定のニーズに対応した製品を提供することが可能になります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-245260 |
| 発明の名称 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-111096 |
| 登録番号 | 特許第0006425985号 |
- サブスク
- 譲渡
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