国立研究開発法人産業技術総合研究所
高品質な不揮発性メモリ素子を実現する技術
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高品質な不揮発性メモリ素子を実現する技術
この特許技術は、不揮発性メモリ素子の製造において、高品質で高性能な結果を実現する新しい製造手法を提案します。具体的には、シリコン基板の上に蛍石型構造のバッファー層（YSZ）を堆積し、その上に複合バッファー層としてまず岩塩型構造の酸化ストロンチウムを堆積し、ついでベロブスカイト型チタン酸酸化物を堆積することにより、高平坦性（平均荒さ0.3nm以下）、完全[001]配向、高結晶性、かつ一定の格子定数を有する高品質のベロブスカイト酸化物の薄膜積層構造を形成できます。これにより、強誘電体をバリア層として用いたトンネル接合構造において、非常に高い平坦性を有するバリア層・電極界面を実現し、高性能の不揮発メモリ動作を提供することができます。
つまりは、不揮発性メモリ素子の性能を向上させるための新しい製造手法を提案する特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業半導体製造業情報技術業
- 高品質な不揮発性メモリ素子の製造
- エレクトロニクス製品の性能向上
- 高性能な不揮発性メモリの市場開拓
この特許技術は、不揮発性メモリ素子の製造プロセスを改善し、高品質な製品を生産するための手法を提供します。これにより、製品の信頼性と耐久性を向上させ、顧客満足度を高めることができます。
この特許技術を活用することで、エレクトロニクス製品に搭載される不揮発性メモリ素子の性能を向上させることができます。これにより、製品の操作性や処理速度を向上させ、ユーザーエクスペリエンスを向上させることが可能となります。
この特許技術を活用して生産された高性能な不揮発性メモリ素子は、高い信頼性と耐久性を持つため、高品質を求める市場や産業での需要を満たすことができます。これにより、新たな市場を開拓し、ビジネスの成長を促進することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-001745 |
| 発明の名称 | 不揮発性メモリ素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-127209 |
| 登録番号 | 特許第0006479480号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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