国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能な抵抗変化型メモリの新たな製造法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能な抵抗変化型メモリの新たな製造法
本特許は、高性能で低コストな抵抗変化型メモリ（ReRAM）の製造方法を提供します。抵抗変化型メモリは電圧を印可することにより上下電極間の絶縁膜の抵抗変化を利用したメモリで、高性能化、高信頼性、低コスト化の観点から注目されています。本特許では、ALD法による堆積を用い、その際にトリメチルアルミニウムを使用します。また、金属酸化物の選択にも工夫があり、チタン、タンタル、ニオビウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群から選択された少なくとも一つを含むものを使用します。これにより、制御性と効率性を向上させています。
つまりは、抵抗変化型素子の製造方法を提供する特許、ALD法を用いた堆積と金属酸化物の選択が特徴。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業コンピュータハードウェア業界
- 抵抗変化型メモリの製造効率化
- 新型メモリの開発
- 技術教育のツールとして
本特許の製造法は、ReRAMの製造効率を大幅に向上させる可能性があります。ALD法による堆積を用いることで、製造過程が簡素化され、生産性が向上します。また、金属酸化物の選択により、メモリの性能を最適化することが可能です。
本特許は、新たなメモリの開発にも活用できます。特許の製造法を用いて、新たな抵抗変化型メモリの開発を行うことで、より高性能、低コストなメモリを市場に提供することが可能になります。
本特許は、半導体やメモリ製造に関する教育・研究のツールとしても活用できます。特許の製造法は、抵抗変化型メモリの製造過程を理解する上で有用な情報を提供します。これにより、学生や研究者が理論を学び、実践的なスキルを獲得するのに役立つでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-005464 |
| 発明の名称 | 抵抗変化型素子の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-131216 |
| 登録番号 | 特許第0006544555号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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