国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体製造装置と方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体製造装置と方法
本特許は、半導体の製造において、処理台を加熱するヒーター、水蒸気を供給する装置、そして温度を制御する機構を有する半導体製造装置に関するものです。また、基材上に形成された酸化物半導体前駆体薄膜を利用して酸化物半導体を製造する方法も含まれています。この方法では、相対湿度80%以上の環境下で、被処理体を100〜200℃の温度に維持しながら、酸化物半導体前駆体薄膜に紫外光を照射する照射工程と、照射工程で得られた被処理体を200〜300℃の温度に維持しながら焼成する焼成工程が行われます。これにより、低温加熱プロセスを可能にし、半導体製造における性能のバラつきを抑制することが可能となります。
つまりは、低温焼成による高品質な酸化物半導体の製造
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子工学化学工業
- 半導体製造プロセスの改良
- 高品質な半導体の製造
- フレキシブルな半導体の製造
この技術を用いることで、半導体の製造プロセスの改良が可能となります。低温の環境で半導体を製造することで、エネルギー効率を上げ、生産コストを削減することが可能になります。
高湿度環境下での紫外光照射と低温焼成により、高い移動度を持つ酸化物半導体を製造することができます。これにより、より高品質な半導体デバイスを製造することが可能となります。
低温での焼成が可能となるため、フレキシブルなプラスチック等の基材上に酸化物半導体を作製することが可能となります。これにより、新たな形状の電子デバイスの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-010985 |
| 発明の名称 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-136565 |
| 登録番号 | 特許第0006449026号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です