国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的なテルル化ビスマス薄膜製造法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的なテルル化ビスマス薄膜製造法
本発明では、マグネトロン・スパッタリング法により単一のターゲットを使用して基板上にテルル化ビスマス(Bi.Te.)薄膜を製造する方法を提案します。特に、薄膜中のテルルの組成が50原子%以下の場合、スパッタリング電力を変えることで、p型とn型の両方のBi.Te.薄膜を作製することが可能です。これにより、異なる電気特性を持つ薄膜の製造が可能となり、微小熱電デバイスの開発や、効率的な熱電変換デバイスの製造に対する新たな可能性を開きます。
つまりは、マグネトロン・スパッタリング法を用いたp型及びn型の両方のテルル化ビスマス薄膜の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造再生可能エネルギー
- 微小熱電デバイスの開発
- 高効率熱電変換デバイスの製造
- 熱電材料の基本的研究
この製造法を用いることで、効率的な微小熱電デバイスの開発が可能となります。特に、p型とn型の両方のBi.Te.薄膜を作製できることから、デバイスの性能を最適化するための柔軟性が増します。
当該製造法は、熱電変換デバイスの製造にも利用可能です。特に、この製法で製造したBi.Te.薄膜は、高度に結晶配向された構造を持つため、熱電薄膜の効率を向上させる可能性があります。
対応するバルク型のデバイスよりも高い効率を実現するためには、薄膜が有効であるとされています。この製造法を用いることで、熱電特性を解析するための基本的な研究を行うことが可能になります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-018256 |
| 発明の名称 | テルル化ビスマス薄膜製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-143758 |
| 登録番号 | 特許第0006504597号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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