国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体-金属複合材料の製造技術
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体-金属複合材料の製造技術
本特許は、不純物（ホウ素やリン）をドープした単結晶ダイヤモンドと金属材料とがオーミック接触した半導体-金属複合材料の製造方法を提供します。この製造方法では、まず、金属元素により構成されたフィラメントと基板が配置された真空容器中に、炭素源及び不純物源を含むキャリアガスを導入します。次に、キャリアガスをフィラメントで加熱し、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドを基板の上に製膜します。その後、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの上に金属材料を積層します。この製造方法により、半導体と金属材料との接触抵抗値を大幅に低減することが可能で、高性能な電子デバイスの製造に活用することができます。
つまりは、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドと金属材料を組み合わせた半導体-金属複合材料の製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業電子デバイス製造業
- 高性能な電子デバイスの製造
- 高耐久性電子部品の製造
- 高絶縁破壊電界の半導体材料の製造
本特許の半導体-金属複合材料の製造方法は、接触抵抗値を大幅に低減することが可能なため、高性能な電子デバイスの製造に活用できます。
不純物をドープした単結晶ダイヤモンドを使用することで、高温・極限環境下でも動作する耐久性の高い電子部品を製造することができます。
ダイヤモンドは高絶縁破壊電界を有するため、本特許の製造方法を用いて、高絶縁破壊電界の半導体材料を製造することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-030450 |
| 発明の名称 | 半導体－金属複合材料及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-152380 |
| 登録番号 | 特許第0006466197号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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