国立大学法人東海国立大学機構
革新的なIV族クラスレート製造法
国立大学法人東海国立大学機構
革新的なIV族クラスレート製造法
本発明は、ホスト原子にゲダルマニウムやシリコンなどのIV族元素を用いたクラスレートの製造方法に関します。この技術は、ゲスト原子を収容した開口部を有する容器と、IV族元素のホスト原子からなる基板を反応容器内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で一定の温度と時間で加熱することで、均質な膜状のクラスレートを効率よく製造します。この方法は、シリコンクラスレートやゲルマニウムクラスレートの製造において特に有用であり、これらのクラスレートは半導体、光吸収材料などとしての重要な応用が期待されています。
つまりは、IV族元素を主成分とした均質な膜状のクラスレートを効率よく製造する方法です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業太陽電池製造業化学製品製造業
- 高効率な半導体製造
- 太陽電池の光吸収材料として
- 新たな合金材料の開発
本発明は、シリコンクラスレートの製造における効率と品質を向上させることで、半導体産業への貢献が期待されます。特に、バンドギャップ特性を持つシリコンクラスレートは高品質な半導体としての利用が可能です。
ゲルマニウムクラスレートは、ガリウムヒ素に近い特性を持ち、太陽電池の光吸収材料としての応用が期待されています。本発明によって製造される均質な膜状のゲルマニウムクラスレートは、太陽電池の効率を向上させる可能性があります。
IV族クラスレートは、合金化により赤外から可視光領域において光の吸収特性を変化させることが可能です。これにより、新たな光学的特性を持つ合金材料の開発が可能となり、光学関連産業への応用が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-033516 |
| 発明の名称 | ＩＶ族クラスレートの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人東海国立大学機構 |
| 公開番号 | 特開2016-155698 |
| 登録番号 | 特許第0006432032号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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