国立大学法人東海国立大学機構
革新的なクラスレート製造法の開拓
国立大学法人東海国立大学機構
革新的なクラスレート製造法の開拓
本特許は、ゲルマニウムやシリコンなどのIV族元素をホスト原子としたクラスレートの製造法に関するものである。クラスレートはホスト原子によって形成される三次元的な籠状の構造の中にゲスト原子が内包されている化合物で、従来の結晶構造物とは異なる特性を持つ。本特許の製造法は、ホスト原子とは異なる材料の基板上に均質な膜状のクラスレートを効率よく製造することが可能である。これにより、従来のクラスレートの製造方法の問題点を解決し、さまざまなデバイスに対応可能なクラスレートを提供することが可能となる。
つまりは、IV族元素をホスト原子としたクラスレートを効率よく製造する方法を開発。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界ナノテクノロジー材料科学
- 高純度クラスレートの製造
- クラスレートを用いた新素材の開発
- クラスレート製造プロセスの効率化
本特許の技術を用いて、高純度のクラスレートを効率的に製造することが可能となる。これにより、半導体としての利便性を高め、さまざまな電子デバイスの製造に活用することが可能となる。
本特許の技術を活用して、クラスレートを基にした新素材を開発することができる。これにより、従来の材料では達成できない性能を持つ新素材の開発が可能となり、新たな製品開発を促進することができる。
本特許の技術を活用して、クラスレートの製造プロセスを効率化することが可能となる。これにより、製造コストの削減や生産性の向上を実現することが可能となり、ビジネスの競争力を強化することができる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-033515 |
| 発明の名称 | ＩＶ族クラスレートの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人東海国立大学機構 |
| 公開番号 | 特開2016-156041 |
| 登録番号 | 特許第0006465397号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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