国立大学法人茨城大学
超低抵抗率銅配線を活用した半導体集積回路装置
国立大学法人茨城大学
超低抵抗率銅配線を活用した半導体集積回路装置
本特許は、半導体集積回路装置に使用される銅配線の形成方法について提案します。超低抵抗率の銅配線は、半導体集積回路装置の高集積化、高密度化、高速化を実現します。本特許では、不純物の濃度を特定の範囲内に制約することで、銅配線の電気抵抗率を低下させ、EM耐性を向上させる方法を提供します。具体的には、セレンの濃度を0.25ppm以下、亜鉛の濃度を21ppm以下に保つことで、銅配線の性能を最適化します。また、不純物が銅の結晶粒の成長を阻害しないように、特定のプロセスで電気メッキ及び熱処理を行うことを特徴とします。これにより、配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにし、結晶性を向上させ、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供します。
つまりは、高性能半導体集積回路装置の製造方法、特に、不純物の混入を抑えた超低抵抗率の銅配線の形成方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造電気機器製造
- 高性能半導体の製造
- 電子機器の性能向上
- 電子部品の品質向上
本特許を活用することで、高速動作を確保し、配線の微細化に伴う電気抵抗率の増大を抑えた高性能な半導体を製造することが可能となります。
高集積化、高密度化、高速化が要求される電子機器の製造に本特許を活用することで、その性能を向上させることができます。
本特許の技術を活用し、電子部品の品質向上を図ることができます。特に、銅配線を使用する部品において、超低抵抗率の実現とともに、製品の信頼性と寿命を向上させることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-183828 |
| 発明の名称 | 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 | 特開2016-164965 |
| 登録番号 | 特許第0006683987号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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