国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な低消費電力トランジスタ技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な低消費電力トランジスタ技術
この特許では、トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の製造方法について詳細に説明されています。TFETはその低消費電力化が重要な課題となっており、消費電力を極めて低くできるトランジスタとして注目されています。特に、本特許ではソース領域と第1チャネル領域の接合領域において、ソース領域からドレイン領域に電子流を流すことが特徴となっています。これにより、電子の移動が効率化され、消費電力の低減が可能となります。また、この特許では、トンネル電界効果トランジスタの製造方法だけではなく、その活用方法や他の特許との比較、背景技術についても説明されています。これにより、トンネル電界効果トランジスタをより効果的に使用するための知識と理解を深めることができます。
つまりは、この特許は、消費電力を大幅に低減できるトンネル電界効果トランジスタの製造方法について説明しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業エネルギー産業電子機器製造業
- 低消費電力デバイスの開発
- エネルギー効率の良いデータセンターの構築
- 次世代の電子機器の開発
トンネル電界効果トランジスタを用いることで、スマートフォンやパソコンなどの電子デバイスの消費電力を大幅に削減し、バッテリー寿命を延ばすことが可能となります。
トンネル電界効果トランジスタを用いたサーバーを開発することで、エネルギー効率の良いデータセンターを構築することが可能となります。これにより、運用コストの削減と環境負荷の軽減が期待できます。
本特許の技術を活用することで、消費電力を大幅に削減した次世代の電子機器を開発することが可能となります。これにより、ユーザーにより快適に使用できる電子機器を提供することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-050089 |
| 発明の名称 | トンネル電界効果トランジスタ及びその使用方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2016-171216 |
| 登録番号 | 特許第0006429688号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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