古河機械金属株式会社
革新的な半導体基板製造法
古河機械金属株式会社
革新的な半導体基板製造法
本特許は、従来とは異なる方法でIII族窒化物半導体基板の表面を平坦化する技術を提供します。具体的には、III族窒化物半導体で構成された基板に対し、III族審化物半導体結晶をエピタキシャル成長させて第2の半導体層を形成します。この成長面は、CMP（Chemical Mechanical Polishing）処理を行わずに、基板の表面よりも高い平坦性を実現します。また、成長速度をコントロールすることで異なる膜組成の3つの膜を積層する技術も含まれています。
つまりは、III族窒化物半導体基板の製造法で、表面を高度に平坦化する技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造マイクロエレクトロニクス
- 高品質な半導体基板の製造
- 電子部品の性能向上
- コスト削減
この技術を用いることで、表面が高度に平坦化された半導体基板を製造することが可能となります。これにより、製品の品質を向上させることができます。
表面が平坦な半導体基板を使用することで、電子部品の性能を向上させることが期待されます。特に、微細な電子回路を設計する際には基板表面の平坦性が重要となるため、この技術は大いに役立つでしょう。
本発明の製造方法では、CMP処理を行わないため、製造工程が簡素化され、コスト削減につながります。また、成長速度を調整することで異なる膜組成の積層を可能とし、材料利用効率の向上にも寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-053197 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2016-172659 |
| 登録番号 | 特許第0006499481号 |
- サブスク
- 譲渡
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