古河機械金属株式会社
革新的なIII族窒化物半導体基板の製造方法
古河機械金属株式会社
革新的なIII族窒化物半導体基板の製造方法
本特許は、III族窒化物半導体基板の製造方法に関するもので、反応性スパッタ工程を有し、XC層の厚さを精密に制御することが特長です。この製造方法では、XC層の上に反応性スパッタXC層を形成し、その厚さは一定の範囲を満たすことが求められます。さらに、XC層形成工程の前に、C膜より厚い所定厚さのベースC膜を形成する工程を含んでいます。ベースC膜の厚さもまた、特定の範囲を満たすことが必要です。この方法により、高品質なIII族窒化物半導体基板を効率的に製造することが可能になります。
つまりは、精密で効率的なIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業科学研究開発業
- 高性能半導体の製造
- 研究開発の進展
- 教育用ツールとしての活用
本特許の製造方法を用いることで、高性能な半導体を製造することが可能です。特に、電子機器やコンピュータの部品として利用可能です。
本特許の製造方法は、半導体の製造技術を一歩前進させるものです。これにより、新たな半導体素材の開発や、より効率的な製造方法の開発につながる可能性があります。
本特許の製造方法は、半導体技術の教育にも役立つ可能性があります。特に、半導体工程の学生や研究者に、半導体の製造プロセスを理解するための有用な教材となり得ます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-053058 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2016-174069 |
| 登録番号 | 特許第0006466216号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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