国立研究開発法人産業技術総合研究所
高効率太陽電池の新たな技術
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高効率太陽電池の新たな技術
本技術は、特許文献JP 6573306 B2に基づく、高効率の太陽電池についての新たな開発です。この特許では、太陽電池の一辺の長さあるいは直径の半分以下の深さと1/5～1/2倍の大きさの略平坦底部を有することを特徴とする太陽電池の開発を説明しています。また、この太陽電池は発電層に単層または多層の薄膜シリコン層あるいはその合金層を含み、更に発電層の厚さは0.2～10mの範囲にあることが特徴です。さらに、透明導電層が光入射側に配置され、この透明導電膜は酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫あるいはその合金から成ります。これらの特性により、太陽電池の光電変換効率が大幅に向上します。
つまりは、凹型構造と薄膜シリコン層を有する太陽電池
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー電子部品建築
- 太陽光発電所の効率向上
- 家庭用太陽電池のパフォーマンス向上
- 電子デバイスへの応用
この新たな太陽電池技術を大規模な太陽光発電所に導入することで、発電効率を大幅に向上させ、更にエネルギーコストを削減することが可能です。
家庭用の太陽電池パネルにこの技術を導入することで、光電変換効率が改善され、より少ない面積でより多くの電力を生産することが可能となります。
この高効率太陽電池技術は、電子機器の電源供給方法としても利用できます。例えば、屋外で使用する携帯電話やノートパソコンなどに内蔵することで、電池寿命を延ばすことができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-078363 |
| 発明の名称 | 透明導電膜を有する薄膜太陽電池 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-201388 |
| 登録番号 | 特許第0006573306号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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