国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な貫通電極とその製造方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な貫通電極とその製造方法
本特許では、3次元集積回路に使用される貫通電極とその製造方法、且つ半導体装置の製造方法について述べられています。具体的には、半導体基板に絶縁層を介して形成された貫通電極で、導電性のコア層が特徴となっています。また、この貫通電極を使用する半導体装置やその製造方法についても説明されています。さらに、半導体基板に筒形状の溝部を形成し、溝部に絶縁層を埋め込む工程、絶縁層より内側にスルーホールを形成し、かつ、絶縁層とスルーホールとの間に半導体基板の一部からなる半導体層を形成する工程、そしてスルーホールに導電性材料を埋め込み、コア層を形成する工程を含む貫通電極の製造方法について詳細に述べられています。
つまりは、高信頼性の半導体装置製造に貢献する新規な貫通電極とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業コンピュータハードウェア
- 高品質な半導体装置の製造
- 高信頼性の電子機器の開発
- 3次元集積回路技術の進化
本特許の貫通電極とその製造方法は、電子機器の小型化や集積回路の微細化・密度化を追求する半導体業界において、高品質な半導体装置を効率よく製造するための新たな手法を提供します。
本特許による熱応力分布を最適化する貫通電極の製造方法は、電子機器の信頼性を向上させることができます。その結果、長寿命で耐久性の高い電子機器の開発が可能となります。
本特許の技術は、3次元集積回路の製造技術を一段階進化させることができます。特に、微細化と高密度化が求められる現代の半導体業界において、この技術は大きな価値を持つでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-096523 |
| 発明の名称 | 貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-213349 |
| 登録番号 | 特許第0006519785号 |
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- ライセンス
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