国立研究開発法人産業技術総合研究所
ダイヤモンドの新しい可能性、単層構造の不純物ドープダイヤモンド
国立研究開発法人産業技術総合研究所
ダイヤモンドの新しい可能性、単層構造の不純物ドープダイヤモンド
この特許は、ホウ素やリンなどの不純物をドープ（注入）した単層構造のダイヤモンドに関するものです。厚さは0.1μmから1mmの範囲で、また、不純物ドープダイヤモンドの厚みの最大値と最小値との差が、最大値の10%以下であることが求められています。比抵抗は温度25℃において0.5～3mΩcm、ホール移動度は0.1～10cm²/Vsであることが特徴です。また、この不純物ドープダイヤモンドは基板の上に形成され、電子デバイスに利用可能です。
つまりは、ホウ素やリンなどの不純物を含む単層構造のダイヤモンドで、厚さ、比抵抗、ホール移動度などが調整可能な技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業研究開発業
- 高性能電子デバイスの開発
- 熱伝導材料としての利用
- 高密度データストレージの開発
不純物ドープダイヤモンドの特性を利用して、高性能の電子デバイスを開発することが可能です。特に、特殊な環境下での利用を考えると、ダイヤモンドの化学的安定性や耐放射線性を活かした新たなデバイス開発が期待できます。
ダイヤモンドは高い熱伝導性を持つため、この不純物ドープダイヤモンドを熱伝導材料として利用することが考えられます。特に、厚みの均一性が求められる部分での利用が適していると考えられます。
単層構造のダイヤモンドは、物理的な性質を活用した高密度データストレージの開発に利用することができます。特に、比抵抗やホール移動度などが調整可能なこの技術は、データの書き込み・読み取り性能の向上に寄与する可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-098261 |
| 発明の名称 | 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2016-213409 |
| 登録番号 | 特許第0006635675号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です