国立大学法人九州工業大学
次世代電子デバイスの主役、グラフェン層を積層したダイヤモンド基板の製造方法
国立大学法人九州工業大学
次世代電子デバイスの主役、グラフェン層を積層したダイヤモンド基板の製造方法
この特許は、グラフェン層を積層したダイヤモンド基板の製造方法について述べています。この製造方法は、金属層を炭素含有層に接触させ、加熱することで、金属層中に炭素含有層中の炭素を溶解させ、その後、金属層を冷却することで、金属層に接触させた耐熱材料の表面に金属層中の炭素をグラフェンとして析出させます。この方法により、量産性があり、高品質でありながら、低製造コストで半導体装置製造に直接使用可能なグラフェン基板の製造が可能となります。
つまりは、高品質で低コスト、半導体装置製造に直接利用可能なグラフェン基板の製造方法を提供
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器業界材料科学業界
- 高性能電子デバイスの製造
- 低コストでの大量生産
- 新素材の開発
この特許の製造方法は、高性能な電子デバイスの製造に適用可能です。グラフェンは電子移動度や電子有効質量といった特性において優れているため、次世代の電子デバイスの製造に利用することが期待されます。
この製造方法は、低製造コストで高品質なグラフェン基板を大量生産することが可能です。これにより、半導体装置製造に直接使用可能な材料を大量に供給することが可能となり、半導体産業の生産効率と利益性を大幅に改善することができます。
この製造方法は、新たな材料の開発にも利用可能です。ダイヤモンド基板上にグラフェンを作製する手法は、高温等の劣悪環境や、生化学的なデバイスへの適用に大きく貢献することが期待されています。新たな素材の開発により、未開拓の技術領域への進出や新たなビジネスチャンスを生み出すことが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-101455 |
| 発明の名称 | グラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 | 特開2016-216288 |
| 登録番号 | 特許第0006544624号 |
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