国立大学法人 筑波大学
革新的なイオンビーム分析装置
国立大学法人 筑波大学
革新的なイオンビーム分析装置
本発明は、物質のサブサーフェース（表面直下の原子数層分の領域）を分析する装置に関するもので、イオンビームを被測定物に照射し、その散乱イオンを分析する装置を提供します。装置には、磁場または電場を印加して散乱イオンの進行方向を変化させる分析部、散乱イオンの軌跡と平行な平面に対して垂直な方向に延在し、進行方向毎に検出可能な複数の検出部を有する位置敏感半導体検出器、および計測器が含まれます。このシステムにより、物質の表面直下の構造や性質を高解像度で分析することが可能となります。
つまりは、半導体検出器を活用した高精度な物質分析装置
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業化学産業研究機関
- ナノテクノロジーの高度な素材分析
- 半導体産業への応用
- 環境汚染物質の分析
この装置は、ナノスケールの物質分析に活用することができます。特に新しいナノテクノロジーマテリアルの開発や特性評価において、精密かつ高速な分析が可能となり、開発の効率化に寄与します。
半導体検出器を用いたこの装置は、半導体素材の品質管理や不良箇所の検出に活用される可能性があります。微細な構造を持つ半導体の品質を高解像度で分析可能とするため、より精度の高い品質管理が可能となります。
この装置は、環境中の微量な汚染物質の分析にも活用できます。高解像度での分析により、微量な汚染物質でもその存在と分布を正確に把握することが可能となり、環境評価やリスク評価に有用です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-117985 |
| 発明の名称 | 分析装置及び分析システム |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 | 特開2017-003442 |
| 登録番号 | 特許第0006692108号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です