国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なエネルギー変換ソリューション - 高性能p型半導体薄膜
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革新的なエネルギー変換ソリューション - 高性能p型半導体薄膜
本特許は、ベロブスカイト下関連構造を有する特定の酸化物薄膜を使用したp型半導体の製造方法について詳述しています。これらの酸化物薄膜は、その組成が特定の化学式で表され、基板に酸素の存在下で堆積されます。さらに、製造されたp型半導体薄膜は、半導体素子や光電変換素子などの構成要素として使用されます。これにより、太陽電池などの光電変換素子の発電効率を向上させることが可能となります。また、製造方法は熱処理にも対応しており、さらなる効率化が期待できます。
つまりは、特定の酸化物半導体薄膜を用いた高性能のp型半導体、その製造方法、およびそれを使用した半導体素子、光電変換素子などの開発。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー半導体研究開発
- 高性能太陽電池の開発
- 高速な半導体デバイスの製造
- 高効率光電変換素子の開発
この技術を使用することで、バンドギャップ値を最適化し、太陽電池の発電効率を大幅に向上させることが可能です。これにより、環境に優しく、コストパフォーマンスの高い太陽電池の製造が可能となります。
この酸化物半導体薄膜を使用することで、半導体デバイスのスピードと効率を向上させることができます。これにより、高速なデータ処理が可能な半導体デバイスの製造が可能となります。
この酸化物半導体薄膜を利用することで、光電変換効率の高い素子を開発することが可能となります。これにより、高性能なセンサーや通信デバイスなどの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-117010 |
| 発明の名称 | 酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2017-005091 |
| 登録番号 | 特許第0006587125号 |
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