地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
高性能変換装置、光電変換装置の新時代へ
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
高性能変換装置、光電変換装置の新時代へ
この特許は、4eV以上のバンドギャップを有する半導体を用いた光電変換装置の設計に関するものです。この装置は、特に3d遷移金属で構成されています。その特性により、この光電変換装置は、高い効率と安定性を持つことが可能となります。これにより、太陽電池、光センサー、光通信デバイスなどの各種光電変換装置の性能を大幅に向上させることが期待されます。また、この半導体は、理論的にはダイヤモンドと類似の性質を有するとされています。それゆえ、この特許の技術は、光電変換装置の性能向上だけでなく、新たな半導体材料としての可能性も秘めています。
つまりは、4eV以上のバンドギャップを有する半導体を用いた高性能光電変換装置の開発。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー通信エレクトロニクス
- 高性能太陽電池の開発
- 光通信デバイスの性能向上
- 新たな半導体材料の開発
この特許の技術を利用して、4 eV以上のバンドギャップを有する半導体を用いた高性能太陽電池を開発する。これにより、現行の太陽電池よりも大幅に効率を向上させることが可能となります。
光通信デバイスにこの技術を適用することで、通信速度や信号の安定性を向上させることが期待されます。また、デバイスの小型化や省エネ化にも寄与する可能性があります。
3d遷移金属を用いたこの半導体は、理論的にはダイヤモンドと類似の性質を有しています。この新素材を用いて、より高性能な電子デバイスの開発を推進することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-120886 |
| 発明の名称 | 光電変換装置 |
| 出願人/権利者 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター |
| 公開番号 | 特開2017-005223 |
| 登録番号 | 特許第0006546791号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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