国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的なガリウム酸化物半導体の製造方法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的なガリウム酸化物半導体の製造方法
本特許は、ガリウム酸化物単結晶の製造方法に関するものです。具体的には、ハライド気相成長法を用いて基板上にガリウム酸化物を成長させ、さらに特定の元素を含有する原料を用いることで、単結晶を製造します。また、製造過程の温度管理や原料の選択など、高品質な半導体素子の製造を実現するための詳細な条件も提供しています。この方法により製造されたガリウム酸化物単結晶は、その大きなバンドギャップや導電性の付与可能性、高い力学的安定性などの特性から、高耐圧・低消費電力の次世代パワー半導体として利用可能です。
つまりは、高性能な半導体素子の製造を可能にする、ガリウム酸化物単結晶の製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子工学マテリアルサイエンス
- 次世代パワー半導体の開発
- 高性能な半導体素子の製造
- エコフレンドリーな半導体製造技術の開発
本特許の製造方法を用いれば、高耐圧・低消費電力の次世代パワー半導体を開発することが可能です。これにより、より効率的な電力管理や省エネルギー化を実現する新たなデバイスを開発することが可能になります。
本特許の製造方法は、高品質なガリウム酸化物単結晶の製造を可能にします。これにより、高性能な半導体素子の製造が可能となり、電子機器の性能向上に貢献します。
本特許の製造方法は、特定の元素を含有する原料を用いることで、エコフレンドリーな半導体製造技術の開発に貢献します。これにより、環境負荷の低減と半導体産業の持続可能性向上に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-121248 |
| 発明の名称 | ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-007871 |
| 登録番号 | 特許第0006436538号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です