国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能ディスプレイの新たなスイッチング素子、多層薄膜トランジスタ
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能ディスプレイの新たなスイッチング素子、多層薄膜トランジスタ
本特許は、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として利用できる多層薄膜トランジスタの製造方法に関するもので、具体的には半導体層に金属酸化物を用いたものです。金属酸化物半導体層にはIn-Si-O系の金属酸化物を用い、その含有量は0重量%より多く5重量%以下であるターゲットを使用しています。この方法では、基板上に拡散バリア層を設け、その上に半導体層、ソース電極、ドレイン電極を形成します。さらに、これらを覆うように層間絶縁層を形成し、酸素を含む雰囲気で100℃以上200℃以下の熱処理を行います。このステップを3回以上繰り返すことで、3個以上の薄膜トランジスタを形成します。その後、各薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に向かって伸びる通孔を設け、これに金属を充填して各電極端子を形成します。
つまりは、本特許では、半導体層に金属酸化物を用いた多層薄膜トランジスタの製造方法について説明されています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業ディスプレイ製造業
- 高性能ディスプレイの開発
- パワーエレクトロニクスデバイスの開発
- 高速データ通信デバイスの開発
本特許の製造方法を用いることで、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として使用することができます。これにより、より高品質なディスプレイの開発が可能となります。
多層薄膜トランジスタは、高電圧、高電流を扱うパワーエレクトロニクスデバイスのスイッチング素子としても利用可能です。これにより、より効率的なパワーデバイスの開発が可能となります。
本特許の多層薄膜トランジスタは、高速データ通信デバイスのスイッチング素子としても利用可能です。これにより、大量のデータを高速に処理する通信デバイスの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-126796 |
| 発明の名称 | 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-011173 |
| 登録番号 | 特許第0006583812号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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