国立研究開発法人情報通信研究機構
深紫外光を放射する半導体発光素子の新たな製造方法
国立研究開発法人情報通信研究機構
深紫外光を放射する半導体発光素子の新たな製造方法
この特許は、半導体発光素子から放射される深紫外光の波長を精密に制御する新たな製造方法を提供します。特に、190nm以上350nm、200nm以上320nm、または220nm以上300nm以下の範囲で深紫外光を放射する半導体発光素子の製造について記載しています。さらに、特許では半導体発光素子を収容するパッケージ、反射部材の設置、光吸収係数の計算と調整、及びウェハの分割と加工についても詳述しています。これにより、光取り出し効率の向上が期待できます。
つまりは、特許JP 6521443 B2は、深紫外光を放射する半導体発光素子の製造方法、及びその素子を備える発光モジュールに関するものである。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業医療機器製造業照明製品製造業
- 次世代照明デバイスの開発
- 医療機器への応用
- 製造プロセスの最適化
この特許の製造方法を用いて深紫外光を放射する半導体発光素子を製造すれば、新たな照明デバイスやディスプレイ技術の開発に利用できます。
深紫外光は、細菌を殺す効果があるとされています。この特許の半導体発光素子を医療機器に組み込むことで、新たな消毒・滅菌技術の開発が可能になります。
この特許は半導体発光素子の製造方法を詳細に記述しており、製造プロセスの改善や最適化に利用できます。効率的な製造プロセスにより、生産コストの削減や品質の向上が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-130266 |
| 発明の名称 | 深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-017110 |
| 登録番号 | 特許第0006521443号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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