国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度磁気記録の新次元：垂直磁化型トンネル磁気抵抗素子
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度磁気記録の新次元：垂直磁化型トンネル磁気抵抗素子
本特許は、高密度記録や大容量化が求められる磁気ストレージやメモリのための新たな垂直磁化型トンネル磁気抵抗素子の製造技術に関するものです。特に、強磁性薄膜と酸化物藻膜積層膜からなる垂直磁化膜構造を用いた磁気抵抗素子の開発に焦点を当てています。合金の種類としては、コバルト基フルホイスラー合金、コバルト-鉄合金、コバルト-鉄-ホウ素合金、L10系合金、マンガン-ガリウム合金、マンガン-ゲルマニウム合金などが含まれます。これらの合金は(001)方位に成長した強磁性材料を形成します。また、この特許では、スピントロニクスデバイスの製造方法も提供されています。
つまりは、高い磁気異方性を持つ垂直磁化型トンネル磁気抵抗素子の製造技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業データストレージ業界
- 高密度記録メディアの開発
- 高速なデータアクセスを可能にするメモリの開発
- スピントロニクスデバイスの製造
コンパクトながら高い記録容量を持つメディアの開発に活用できます。本特許の技術を使用することで、現行の記録メディアよりもはるかに大容量のデータを磁気ディスクに記録することが可能になります。
本特許の技術を使用して、高速なデータアクセスを可能にする新たなメモリの開発が可能です。特に、非揮発性のランダムアクセスメモリ(MRAM)の開発において、本特許の技術は大きな可能性を秘めています。
本特許の技術は、スピントロニクスデバイスの製造にも活用可能です。スピントロニクスデバイスは、電子のスピンを利用した新たな電子デバイスで、本特許の技術を活用することで、より高性能なスピントロニクスデバイスの製造が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-163996 |
| 発明の名称 | 垂直磁化膜構造およびその製造方法、それを用いた磁気抵抗素子およびその製造方法、ならびにこれらを用いたスピントロニクスデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-041606 |
| 登録番号 | 特許第0006583814号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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