国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精細なディスプレイの新たなスイッチング素子、薄膜トランジスタ
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精細なディスプレイの新たなスイッチング素子、薄膜トランジスタ
本特許は、半導体層にインジウム、ガリウム、亜鉛などの金属酸化物を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法に関するものです。特に、酸化物の含有量が0より大きく50重量%以下、0より大きく5重量%以下、または0より大きく10重量%以下である薄膜トランジスタが含まれています。さらに、半導体層の形成のための製造方法も提供されており、半導体層が10以上400以下、10以上200以下、または10以上500以下で形成されます。これにより、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として好適に用いることが可能となります。
つまりは、特性向上を目指した薄膜トランジスタとその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 映像技術半導体産業電子機器製造
- 高品質なディスプレイの製造
- 電力消費の低減
- 高性能な電子機器の開発
本特許の薄膜トランジスタは、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として利用可能です。これにより、より高品質なディスプレイの製造が可能となります。
本特許の薄膜トランジスタを用いることで、消費電力を低減することが可能です。これにより、環境負荷の低減や長時間の使用にも耐えうる製品の開発が可能となります。
本特許の薄膜トランジスタは、半導体層の性能を向上させることが可能です。これにより、高性能な電子機器の開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-213693 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-041646 |
| 登録番号 | 特許第0006296463号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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