国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的ダイヤモンド半導体デバイスのための新たな製造方法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的ダイヤモンド半導体デバイスのための新たな製造方法
この特許は、高性能な電力デバイスの製造に適した水素化ダイヤモンド（H-diamond）MISFETの製造方法について説明しています。特に、ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法を明らかにし、その製造条件を特定化します。この方法は、ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で、一定の温度範囲でアニール（加熱処理）するステップを含みます。これにより、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETを効率的に作り出すことが可能となります。この技術は、次世代の電力デバイス製造に大きな影響を与える可能性があります。
つまりは、より効率的な電力デバイスの製造を可能にするための、水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法についての特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業電力供給業
- 高性能電子デバイスの製造
- 電力供給システムの改善
- エネルギー効率の高い製品の開発
この特許の技術を活用すれば、高性能な電子デバイスをより効率的に製造することが可能となります。特に、電力デバイスの製造において、この製造方法は製品の性能を大幅に向上させる可能性があります。
高い電力と低い電力損失を実現するこの新たな半導体デバイスは、電力供給システムの改善に寄与します。これにより、電力供給の効率化とコスト削減を図ることが可能となります。
この特許の製造方法を用いて作られた半導体デバイスは、エネルギー効率の高い製品の開発に寄与します。例えば、エネルギー消費を抑えた電子製品や、省エネルギーシステムの開発に活用することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-174571 |
| 発明の名称 | ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-050485 |
| 登録番号 | 特許第0006519792号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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