国立大学法人信州大学
高品質SiC単結晶の効率的な製造法
国立大学法人信州大学
高品質SiC単結晶の効率的な製造法
SiCは次世代のパワー素材として注目されていますが、電子デバイスの材料として使用するためには、高品質のSiCの単結晶が不可欠です。それを実現するための新たな製造方法が本発明です。具体的には、溶剤金属とSiCからなる材料を利用して、溶液法によりSiCの単結晶を製造します。これにより、従来の製造法に比べてSiC単結晶の製造が可能になります。また、本発明ではCrを溶剤金属として使用することで、黒鉛のるつぼから効率的にSiの融液にCを溶解させ、SiCの単結晶を形成することができます。
つまりは、SiC単結晶の製造方法を改良し、高品質で大型の単結晶を効率的に製造する新技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業半導体業界新素材開発業界
- 電子デバイスの材料としての使用
- 次世代パワー素材の開発
- 新素材の研究における活用
高品質のSiC単結晶は電子デバイスの材料として利用可能です。従来の製造法よりも効率的に製造できるため、コスト削減や生産効率の向上に寄与します。
SiCは次世代のパワー素材として注目されています。本製造法を活用することで、新たなパワー素材の開発が可能となります。
高品質のSiC単結晶は新素材の研究においても重要な役割を果たします。本製造法を用いることで、より高品質なSiC単結晶を効率的に製造し、新素材の開発を加速することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-193699 |
| 発明の名称 | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 | 特開2017-065976 |
| 登録番号 | 特許第0006598111号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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