学校法人関西学院
高精度半導体ウェハの製造を実現する特許技術
学校法人関西学院
高精度半導体ウェハの製造を実現する特許技術
本特許技術は、SiC基板のC面やSi面にエピタキシャル層を形成し、レーザを照射して互いに交差する複数の溝を形成することで、凸部を形成し、エピタキシャル層を除去する半導体ウェハの製造方法を提案しています。この方法では、高温環境に耐えることができ、機械的強度にも優れる半導体ウェハを製造することが可能です。また、エピタキシャル層の六角形状の頂点同士が接触するように準安定溶媒エピタキシー法が行われるため、高精度な半導体ウェハを得ることができます。これにより、半導体ウェハの製造工程での品質向上とコスト削減を実現することが可能となります。
つまりは、SiC基板を使用し、高精度で半導体ウェハを製造するための特許技術について説明します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造高性能素材開発
- 高品質な半導体ウェハの製造
- 高温環境下での半導体ウェハの使用
- 先端技術への応用
本特許技術を活用することで、従来よりも高品質な半導体ウェハを製造することが可能となります。これにより、製品の性能向上とコスト削減を実現でき、競争力の強化につながります。
本特許技術を用いて製造された半導体ウェハは、高温環境に耐えることが可能となります。これにより、高温環境下での使用が必要な様々な産業分野での利用が可能となります。
本特許技術を活用すれば、電子機器の性能向上や新たな電子デバイスの開発につながります。これにより、次世代の技術開発に貢献し、新たな市場創出につながる可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-220064 |
| 発明の名称 | 半導体ウエハの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 学校法人関西学院 |
| 公開番号 | 特開2017-088444 |
| 登録番号 | 特許第0006621304号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です