国立研究開発法人産業技術総合研究所
高硬度半導体ウェハの効率的な加工を実現する装置
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高硬度半導体ウェハの効率的な加工を実現する装置
本特許は、半導体ウェハの加工装置に関し、特に人硬度が高く難加工材料であるS iCを研磨、切断する加工装置について述べています。従来の技術では、S iCの硬度が非常に高いため、それよりも硬度の高いダイヤモンドやCBNを砥粒として使用する必要がありました。しかし、これらは高価であり、製造コストが高騰する一因となっていました。本発明では、これらの問題を解決するため、S iCよりも硬度が低いが非常に安価なアルミニウム等を研磨粒として使用します。これにより、研磨粒のコストを大幅に削減しつつ、S iCの効率的な加工を可能にします。
つまりは、S iCといった高硬度の半導体ウェハを効率的に研磨、切断する加工装置の特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業精密機械製造業電子部品製造業
- 高硬度半導体ウェハの低コスト加工
- 高品質な半導体ウェハの生産
- 新たな半導体ウェハ加工装置の開発
本特許技術を活用することで、高硬度の半導体ウェハの加工に必要な研磨粒のコストを大幅に削減することが可能です。これにより、製造コストの抑制とともに、製品の価格競争力を向上させることができます。
高硬度の半導体ウェハを効率的に研磨、切断することが可能な本特許技術を活用することで、高品質な半導体ウェハの生産を実現します。これにより、製品の品質を保ちつつ、生産効率を向上させることができます。
本特許技術を基に新たな半導体ウェハ加工装置の開発を行うことで、市場に新たな選択肢を提供します。これにより、顧客のニーズにより適した製品を提供し、市場の拡大を図ることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-215620 |
| 発明の名称 | 半導体ウエハの加工装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2017-092064 |
| 登録番号 | 特許第0006544688号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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