国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能単結晶磁気抵抗素子の新時代へ
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能単結晶磁気抵抗素子の新時代へ
本特許は、Co基ホイスラー合金を用いた独自の単結晶磁気抵抗素子の製造方法に関するものです。特に、強磁性層と絶縁体層の特定の層構造により、高い磁気抵抗比を実現しています。また、シリコン基板の自然酸化膜を除去し、基板温度を一定範囲で保つことで、下地層を成膜します。上部強磁性層の膜厚は0.5nm以上となっています。これらの工程によって、高い磁気抵抗比が得られる単結晶磁気抵抗素子を製造することが可能です。
つまりは、独特なCo基ホイスラー合金と特定の層構造を持つ単結晶磁気抵抗素子の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業情報通信業自動車産業
- 高性能メモリの開発
- 小型電子機器の性能向上
- 自動車の電子制御システムの高精度化
本特許の単結晶磁気抵抗素子は、その高い磁気抵抗比により、情報の高速読み取りと書き込みが可能です。これにより、高性能なメモリの開発に利用することが可能です。
本特許の単結晶磁気抵抗素子は、その小型化と高性能化により、スマートフォンやウェアラブルデバイスなどの小型電子機器の性能向上に貢献します。電子機器の小型化とともに、性能も向上させることが可能です。
本特許の単結晶磁気抵抗素子は、高い磁気抵抗比により、自動車の電子制御システムの高精度化に貢献します。エンジン制御や安全装置など、高速で正確な制御が求められる部分に利用することで、より高精度な制御が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-237601 |
| 発明の名称 | 単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-103419 |
| 登録番号 | 特許第0006754108号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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