古河機械金属株式会社
革新的な半導体基板の製造法
古河機械金属株式会社
革新的な半導体基板の製造法
本特許は、主面が特定のミラー指数で表され、mの指数がマイナスとなる半極性面を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法に関するものです。この方法では、主面に複数の欠陥が存在し、欠陥の一部が線状に並んで欠陥列となっています。また、HVPE法を用いて、前記主面上に半導体を成長させることで、複数の欠陥が存在し、一部が線状に並んで欠陥列となるIII族窒化物半導体層を形成します。これにより、高品質で耐久性のある半導体基板の製造が可能となります。
つまりは、III族窒化物半導体基板の製造方法において、特定のミラー指数を用いて半極性面を形成し、高品質な半導体基板を生産します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業通信機器製造業
- 高品質な半導体基板の製造
- 耐久性の高い半導体製品の開発
- 新規半導体製造プロセスの構築
本特許の製造法を用いれば、高品質な半導体基板の製造が可能となります。特に、欠陥の存在する半導体基板の製造において、欠陥の影響を最小限に抑えることができます。
本特許の製造法を用いると、耐久性の高い半導体製品の開発が可能となります。これにより、長期間にわたる安定した性能を発揮する製品を市場に提供することができます。
本特許の製造法を用いることで、新たな半導体製造プロセスを構築することが可能となります。これにより、製造コストを抑えつつ、より高品質な製品を製造することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-022090 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2017-141120 |
| 登録番号 | 特許第0006663237号 |
- サブスク
- 譲渡
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