東京都公立大学法人
高いアスペクト比を持つピラーアレー構造体の製造法

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高いアスペクト比を持つピラーアレー構造体の製造法
本特許では、従来の製造方法で問題となっていたピラーアレー構造体のアスペクト比の問題を解決する製造法が提供されます。この新たな製造法は、高いアスペクト比の金属柱を含むピラーアレー構造体を作製することが可能です。具体的には、アルミニウム基板の表面を陽極酸化させてポーラスアルミナ層を形成し、その表面にレジストパターンを形成。湿式エッチングによりレジストパターンに覆われていない部分のポーラスアルミナ層を選択的に溶解除去し、開口パターンを形成します。その後、開口パターンの底に露出したアルミニウム基板に対して置換メッキを行い、さらに電解メッキを行うことにより、開口パターン内を埋める金属柱を形成します。
つまりは、ピラーアレー構造体の製造におけるアスペクト比問題を解決する新しい製造法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業エネルギー業半導体製造業
- 高性能電池の開発
- 高精度電子部品の製造
- 新素材の開発
本特許の製造法を用いることで、高いアスペクト比の金属柱を含むピラーアレー構造体を作製できます。これにより、電池の性能を向上させることが可能です。
本特許の製造法は、精度の高い電子部品を製造する際に役立ちます。特に、微細な部品の製造においては、アスペクト比の高さの均一性が求められます。
この製造法を利用して、新たな材料や素材を開発することも可能です。異なる材料でのピラーアレー構造体の製造を試みることで、新たな特性を持つ素材の開発につながる可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2016-134834 |
発明の名称 | ピラーアレー構造体の製造方法 |
出願人/権利者 | 東京都公立大学法人 |
公開番号 | 特開2017-160528 |
登録番号 | 特許第0006727046号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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